Нанотехнологическая магия. Создан мемристор атомарной толщины для сверхплотной памяти (фото) | |
|
Еще лет 15 назад мемристоры считались теоретическими объектами, которые невозможно создать.
Создан "накопитель памяти" толщиной всего в один атом: площадь этого устройства на основе дисульфида молибдена (MoS2) – около 1 кв. нанометра. О технологическом прорыве пишут в журнале Nature Nanotechnology ученые из Техасского университета в Остине.Это мемристор – пассивный элемент, способный изменять свое сопротивление в зависимости от протекшего через него заряда, из-за чего его можно использовать как ячейку памяти ReRAM. Это целый класс энергонезависимой памяти: в основе ее работы лежит эффект управления сопротивлением ячейки. Смысл в том, что дефект или пустое место в кристаллической (атомарной) структуре вещества замещать атомом металла, что поменяет его проводимость (сопротивление). Долгое время считалось, что токи утечки предотвратят такой эффект для изолирующих слоев нанометровой толщины, и мемристоры таких размеров сделать не удастся. Скорость работы подобных мемристоров (атомристеров, как называют их авторы) гораздо выше даже самой современной флэш-памяти, а плотность записи данных на такой накопитель, по данным исследователей из Остина, в 100 раз больше (~25 ТБ/см2). Гипотетически в некоторых случаях мемристоры смогут заменить транзисторы – полупроводниковые "клапаны", которые при определенной силе тока резко уменьшают сопротивление и пускают ток с вывода-коллектора на вывод-эмиттер. Еще лет 15 назад мемристоры считались теоретическими объектами, которые невозможно создать. Сейчас различные компании пытаются применить технологию на практике, в том числе как искусственные синапсы для нейропроцессоров и нейросетей.   
| |
|
|
|
Сейчас читают
Комментариев нет. |
|
Войдите, чтобы оставить комментарий.